| 型号： | MJD31C1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS POWER NPN 3A 100V IPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MJD31C1G PDF |  |
| 标准包装 | 75 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 10 @ 3A，4V |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | MJD31C1G-ND MJD31C1GOS |